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芯片设计、制造晶圆、外延生长、扩散工艺、刻蚀工艺等，具体流程如下：
1、芯片设计：设计场效应管的电路结构和功能，确定器件的规格参数。
2、制造晶圆：采用特定的材料（如硅）制造晶圆，并进行清洗和准备。
3、外延生长：在晶圆上生长一层薄膜，形成器件的结构，这一步通常需要精确控制生长速率、厚度和掺杂浓度等参数。
4、扩散工艺：通过扩散工艺在晶圆上形成PN结，这是场效应管的核心结构，扩散过程中需要控制温度、时间和掺杂浓度等参数。
5、刻蚀工艺：通过光刻和干刻等技术，在晶圆上形成器件的电极和连线结构，这一步需要精确控制刻蚀深度和精度。
6、其他工艺：包括薄膜沉积、化学机械抛光等工艺步骤，以完成器件的制造。
7、测试和封装：对制造好的场效应管进行测试，确保性能符合要求，然后进行封装，以便在实际应用中使用。
至于场效应管种类，根据不同的结构和用途，可以划分为多种类型，按照材料分类，有硅基场效应管、碳化硅场效应管和氮化镓场效应管等；按照导电沟道类型分类，有N沟道场效应管和P沟道场效应管等；按照用途分类，有射频场效应管、功率场效应管等，这些不同类型的场效应管具有不同的特性，适用于不同的应用场景，射频场效应管主要用于高频信号处理，功率场效应管用于大功率应用等。
仅供参考，如需更多关于场效应管生产工艺流程与场效应管种类的信息，建议查阅相关文献资料或咨询专业技术人员。